При низких температурах преобладает рассеяние на примесях и подвижность носителей изменяется согласно выражению, где где а - параметр полупроводника, m - подвижность носителей заряда:
- m=a*T-3/2
- m=a*T3/2
- m=a/T3/2
Для просмотра статистики ответов нужно
залогиниться.