Определить диффузионную длину для дырок в полупроводнике Ge при условиях: Т=300К; заряд электрона q=1,6·10^(-19) Кл; постоянная Больцмана k=1,37·10^(-23) Дж/К=0,86·10^(-4) эВ/град; время жизни носителей заряда ?n=?p=10^(-6) с. (Знак "^" - степень)