В каком случае электроны полупроводника n-типа (n-области) притягиваются положительным
полюсом источника напряжения смещения, а дырки p-области притягиваются отрицательным
полюсом, в результате чего обеднённый слой расширяется и увеличивается потенциальный
баръер, препятствующий проникновению электронов через границу раздела?