Для формирования гетероструктуры необходимо, чтобы параметры кристаллической решётки обоих полупроводниковых материалов...
- были как можно ближе
- имели как можно большую разницу
- требования к параметру кристаллической решётки не предъявляется
Для просмотра статистики ответов нужно
залогиниться.