Определить диффузионную длину для дырок в полупроводнике Ge при условиях: Т=300К; заряд электрона q=1,6·10-19Кл; постоянная Больцмана k=1,37·10-23Дж/К=0,86·10-4эВ/град; время жизни носителей заряда ?n=?p=10-6с.