Определить собственную концентрацию носителей заряда в чистом полупроводнике Si для условий: температура Т=300°К; коэффициент А=8,042·1069м-3 для Германия; уровень Ферми ?Wз=0,56эВ; постоянная Больцмана k=1,37·10-23Дж/К=0,86·10-4эВ/град.