Определить собственную концентрацию носителей заряда в чистом полупроводнике Ge для условий: температура Т=300°К; коэффициент А=8,042·1069^(-3) м для Германия; уровень Ферми Wз=0,56эВ; постоянная Больцмана k=1,37·10^(-23) Дж/К=0,86·10^-4 эВ/град. (Знак "^" - степень)