В собственном полупроводнике концентрация носителей тока n = 2,5×10+19 м-3, а подвижности электронов и дырок равны соответственно uе = 0,36 м2/В×с, uр = 0,14 м2/В×с. Модуль заряда электронов и дырок = 1,6×10-19 Кл. Удельное электросопротивление полупроводника равно … Ом·м.