В HEMT-транзисторах увеличение подвижности носителей заряда в канале обеспечивается...

ограничением движения носителей заряда по одному из направлений (2D-газ)
особенностью легирования полупроводникового материала подложки
рабочей температурой прибора

Для просмотра статистики ответов нужно залогиниться.