В HEMT-транзисторах увеличение подвижности носителей заряда в канале обеспечивается...
- ограничением движения носителей заряда по одному из направлений (2D-газ)
- особенностью легирования полупроводникового материала подложки
- рабочей температурой прибора
Для просмотра статистики ответов нужно
залогиниться.