Определить коэффициент диффузии дырок в полупроводнике Ge при условиях: Т=300К; заряд электрона q=1,6·10-19Кл; постоянная Больцмана k=1,37·10^(-23) Дж/К=0,86·10^(-4) эВ/град. (Знак "^"