Для создания электронно – дырочного перехода необходимо ввести в полупроводник:

  • донорную и акцепторную примеси, расположенные в одной области полупроводника.
  • донорную и акцепторную примеси, расположенные в разных частях полупроводника
  • примесные ионы равной валентности с основным элементом полупроводника
Для просмотра статистики ответов нужно залогиниться.