Акцепторный уровень расположен на энергетическом
расстоянии 0,96 эВ от дна зоны проводимости примесного полупроводника p-типа.
Ширина запрещённой зоны равна ΔW=1 эВ.
Наименьшая энергия фотонов, при которой в полупроводнике возможен внутренний
фотоэффект, составляет