Какое явление обусловлено следующими процессами: при облучении поверхности полупроводникого диода светом с энергией фотонов, больше или равной ширине запрещённой зоны, в результате поглощения этих фотонов в обоих полупроводниках появятся (сверх имеющихся) электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне. Эти электроны из p- полупроводника и дырки из n- полупроводника смогут свободно проходить через запирающий слой и создавать избыточные заряды?
- Внешний фотоэффект
- Внутренний фотоэффект
- Усиление входного сигнала
- Выпрямление переменного тока
- Превращение световой энергии в электрическую энергию
К сожалению, у нас пока нет статистики ответов на данный вопрос,
но мы работаем над этим.